[发明专利]阵列基板以及显示装置有效
申请号: | 201711279569.6 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN107910338B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 谢剑星;杨一峰;张骢泷 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/02 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;黄进 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 以及 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括显示区和位于所述显示区周边的驱动电路区,所述驱动电路区包括形成在衬底基板上的第一金属层,其特征在于,所述第一金属层通过图案化工艺形成有多条金属走线,所述多条金属走线中包含有相邻的并且相互绝缘的第一金属走线和第二金属走线;其中,所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距设置为50μm以上,否则,所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的面积差异设置为不超过10%;
其中,对于所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距小于50μm的某一位置,在所述第一金属走线上截取以所述某一位置为中心的包含一定长度的第一区域,在所述第二金属走线上截取以所述某一位置为中心的包含一定长度的第二区域,将所述第一区域和所述第二区域之间的面积差异设置为不超过10%。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述一定长度的取值为100μm以上。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述一定长度的取值为100μm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,以所述第一区域和所述第二区域中面积较大的为基准区域,所述第一区域和所述第二区域的面积之差不超过所述基准区域的10%。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,以所述第一区域和所述第二区域中面积较小的为基准区域,所述第一区域和所述第二区域的面积之差不超过所述基准区域的10%。
6.根据权利要求1-5任一所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动电路区包括GOA驱动单元和ESD保护单元,所述多条金属走线的其中一部分位于所述GOA驱动单元中,另一部分则位于所述ESD保护单元中;其中,所述第一金属走线和所述第二金属走线是同时位于所述GOA驱动单元中或者同时位于所述ESD保护单元中,或者是,所述第一金属走线和所述第二金属走线的其中之一位于所述GOA驱动单元中,另一个则位于所述ESD保护单元中。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动电路区还包括依次形成在所述第一金属层上的第一绝缘层、半导体层和第二金属层,所述GOA驱动单元和所述ESD保护单元分别包括薄膜晶体管,所述第一金属层用于图案化形成所述薄膜晶体管的栅极以及栅极走线,所述半导体层用于图案化形成所述薄膜晶体管的有源层,所述第二金属层用于图案化形成所述薄膜晶体管的源漏极以及源漏极走线。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体层的材料为非晶硅。
9.一种显示装置,包括权利要求1-8任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的