[发明专利]改善金属层腐蚀缺陷方法有效
| 申请号： | 201711279353.X | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107993939B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张钱;昂开渠;任昱;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善金属层腐蚀缺陷方法，在本发明提供的改善金属层腐蚀缺陷方法中，所述改善金属层腐蚀缺陷方法利用大数据分析，总结出厚金属层刻蚀工艺中所述光刻胶消耗量跟所述产品透光率，所述光刻胶刻蚀速率跟所述产品透光率的相关性，通过增加光刻胶前处理步骤并智能调节该步骤的处理时间，达到不同透光率产品最终刻蚀后光刻胶剩余厚度一致的目的。不仅调节方法简单有效，而且调节范围大，能够满足大范围的产品透光率需求。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 金属 腐蚀 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种改善金属层腐蚀缺陷方法，其特征在于，包括：获得金属层刻蚀步骤光刻胶消耗量跟产品透光率的相关性；获得对光刻胶进行前处理时光刻胶刻蚀速率跟产品透光率的相关性；设定光刻胶剩余厚度目标值，并根据第一步和第二步，确定每个产品的光刻胶前处理的理论时间；以及应用第三步的理论时间对产品的光刻胶进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
