[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201711277647.9 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN107749401A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 安永尚司;山上守 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/603;H01L23/31;H01L23/373;H01L23/433;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其能够更高效地散发来自半导体芯片的热量。该半导体装置包括具有芯片焊垫主面(111)和芯片焊垫背面(112)的芯片焊垫部(11)；搭载于芯片焊垫主面(111)的半导体芯片(41)；形成有使芯片焊垫背面(112)露出的凹部(75)且覆盖芯片焊垫部(11)和半导体芯片(41)的密封树脂部(7)；以及配置于凹部(75)的散热层(6)，凹部(75)具有凹部槽(753)，该凹部槽(753)具有在芯片焊垫背面(112)扩展的方向上位于比芯片焊垫部(11)更靠外侧，且位于比芯片焊垫背面(112)更靠芯片焊垫主面(111)侧的部分，散热层(6)具有一部充填于凹部槽(753)且与芯片焊垫背面(112)接触接合层(66)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种金属线焊接方法，其特征在于：具有金属线焊接工序，在该金属线焊接工序中，在将一对压片按压于焊接对象物的相互离开的两个部位的状态下，将金属线焊接在所述焊接对象物中的在所述一对压片离开的方向上位于所述一对压片之间的部位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
