[发明专利]一种新型碳化硅小角度倾斜台面终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711274880.1 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107910360A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李良辉;李俊焘;徐星亮;李志强;周坤;张林;代刚 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可应用于SiC大尺寸高压器件终端结构的新型碳化硅小角度倾斜台面终端结构及其制备方法，此类高压器件包括SiC GTO、SiC PiN以及其他使用小角度倾斜台面终端结构的SiC器件；本发明的刻蚀技术使用AZ4620厚光刻胶作为掩膜方式及实现了大面积的光刻胶均匀回流，依据光刻胶回流条件的不同，刻蚀出的SiC小角度倾斜台面底角可以在0°~20°之间。根据不同类型器件对倾斜台面刻蚀深度的不同可使用该刻蚀技术制成单一倾斜台面刻蚀终端结构或多次使用形成多级的倾斜台面刻蚀终端结构。本发明相较于其他的多台面终端刻蚀方案工艺得到了显著简化且由于该方案是理想的斜坡其对器件边缘场强聚集的抑制效果理论上也要优于其他近似方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 碳化硅 角度 倾斜 台面 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型碳化硅小角度倾斜台面终端结构，其特征在于：所述倾斜台面为上小下大的锥状台面结构，台面结构的面积大于1mm2；所述倾斜台面的斜面与水平面之间的夹角小于20°。
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