[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711261402.7 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109212912A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈铭锋;周硕彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置的制造方法包含在基底上方提供具有图案化的吸收层的光掩模，使用具有横向电(TE)波和横向磁(TM)波混合的光束照射光掩模，照射包含在图案化的吸收层的侧壁上产生表面等离子体电磁极化子(SPP)，表面等离子体电磁极化子用于抑制横向磁波，同时反射横向电波，将目标基底暴露于横向电波。 | ||
| 搜索关键词： | 表面等离子体 半导体装置 电磁极 光掩模 图案化 吸收层 电波 光束照射 目标基 侧壁 磁波 基底 反射 制造 照射 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：选择具有一波长的一辐射的一光刻光源；决定在该波长具有一介电常数的一实数部分约‑1的一组成；在一掩模基底上形成一层的该组成；根据一布局设计将该层图案化；以及使用该波长的该辐射照射该图案化的层，其中该照射包含：通过该图案化的层吸收该辐射的至少一部分；以及在一半导体基底上成像一图案，该图案与该布局设计有关且由该图案化的层定义。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711261402.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
