[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711261402.7 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109212912A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈铭锋;周硕彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面等离子体 半导体装置 电磁极 光掩模 图案化 吸收层 电波 光束照射 目标基 侧壁 磁波 基底 反射 制造 照射 暴露 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
选择具有一波长的一辐射的一光刻光源；
决定在该波长具有一介电常数的一实数部分约-1的一组成；
在一掩模基底上形成一层的该组成；
根据一布局设计将该层图案化；以及
使用该波长的该辐射照射该图案化的层，其中该照射包含：
通过该图案化的层吸收该辐射的至少一部分；以及
在一半导体基底上成像一图案，该图案与该布局设计有关且由该图案化的层定义。
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