[发明专利]碳化硅欧姆接触的制备方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法，所述制备方法包括(a)选取4H‑SiC衬底；(b)在4H‑SiC衬底上生长4H‑SiC外延层；(c)在4H‑SiC外延层中分别制作P区与N区；(d)在P区与N区表面依次淀积镍、钛、铝作为接触金属层；(e)在接触金属层表面淀积阻挡金属层；(f)将包括4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、P区、N区、接触金属层及阻挡金属层的整个材料进行退火处理以使接触金属层分别与P区及N区表面形成欧姆接触。本发明低温条件下即可完成碳化硅欧姆接触制备，并且同时在衬底材料中形成了欧姆接触，提高了器件的可靠性，并且工艺简单，节省时间与成本。

主权项

一种碳化硅欧姆接触的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取4H‑SiC衬底(10)；(b)在所述4H‑SiC衬底(10)上生长4H‑SiC外延层(101)；(c)在所述4H‑SiC外延层(101)中分别制作P区(102)与N区(103)；(d)在所述P区(102)与所述N区(103)表面依次淀积镍、钛、铝以形成接触金属层(104)；(e)在所述接触金属层(104)表面淀积阻挡金属层(105)；(f)将包括所述4H‑SiC衬底(10)、所述4H‑SiC外延层(101)、所述P区(102)、所述N区(103)、所述接触金属层(104)及所述阻挡金属层(105)的整个材料进行退火处理以使所述接触金属层(104)分别在所述P区(102)及所述N区(103)表面形成欧姆接触。