[发明专利]碳化硅欧姆接触的制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅欧姆接触的制备方法，其特征在于，包括：

(a)选取4H-SiC衬底(10)；

(b)在所述4H-SiC衬底(10)上生长4H-SiC外延层(101)；

(c)在所述4H-SiC外延层(101)中分别制作P区(102)与N区(103)；

(d)在所述P区(102)与所述N区(103)表面依次淀积镍、钛、铝以形成接触金属层(104)；

(e)在所述接触金属层(104)表面淀积阻挡金属层(105)；

(f)将包括所述4H-SiC衬底(10)、所述4H-SiC外延层(101)、所述P区(102)、所述N区(103)、所述接触金属层(104)及所述阻挡金属层(105)的整个材料进行退火处理以使所述接触金属层(104)分别在所述P区(102)及所述N区(103)表面形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(b)之前还包括：

对所述4H-SiC衬底(10)进行标准RCA清洗。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(c)包括：

(c1)利用PECVD工艺，在所述4H-SiC外延层(101)上生长SiO₂掩膜层；

(c2)利用光刻工艺，选择性刻蚀光刻胶，在所述SiO₂掩膜层表面分别形成第一待刻蚀区域与第二待刻蚀区域；

(c3)利用反应离子刻蚀工艺在所述第一待刻蚀区域与所述第二待刻蚀区域刻蚀所述SiO₂掩膜层以在所述4H-SiC外延层(101)表面分别形成第一离子待注入区域与第二离子待注入区域；

(c4)利用离子注入工艺，在所述第一离子待注入区域与所述第二离子待注入区域分别注入P与Al，并将包括所述4H-SiC衬底(10)的整个材料进行退火处理以在所述4H-SiC外延层(101)中分别形成所述N区(103)与所述P区(102)。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述P区(102)的掺杂浓度为3.8×10²⁰cm^-3。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述N区(103)的掺杂浓度为1.0×10²⁰cm^-3。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(d)包括：采用直流磁控溅射工艺，在所述P区(102)与所述N区(103)表面依次淀积所述镍、所述钛、所述铝以形成所述接触金属层(104)。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述镍的厚度为所述钛的厚度为所述铝的厚度为

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡金属层(105)的材料为W或者TaSi₂/Pt或者W/TaSi₂/Pt或者Ti/Pt。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为750～850℃。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理包括：从常温上升到400℃，恒温400℃持续10s，然后以10℃/s的速率升温到800℃，恒温800℃持续2min，然后降温到400℃，最后经水冷420s至常温。