[发明专利]影像感应器集成芯片

摘要

本公开实施例涉及影像感应器集成芯片，其具有的深沟槽隔离结构具有反射元件。影像感应器集成芯片包含影像感应元件安排在基底内，多个突出部沿着基底的第一侧安排在影像感应元件之上，一或更多吸收增强层安排在这些突出部上方且在突出部之间，多个深沟槽隔离结构安排于沟槽内且设置于影像感应元件的相对两侧，并从基底的第一侧延伸至基底内，这些深沟槽隔离结构各自包含反射元件，其具有一或更多反射区配置为反射电磁辐射。通过使用反射元件反射电磁辐射，使相邻的像素区之间的串音(cross‑talk)减少，藉此改善影像感应器集成芯片的效能。

主权项

1.一种影像感应器集成芯片，包括：一影像感应元件，安排于一基底内；多个突出部，沿该基底的一第一侧安排在该影像感应元件上方；一或更多吸收增强层，安排在所述多个突出部上方且在所述多个突出部之间；以及多个深沟槽隔离结构，安排在多个沟槽内且设置在该影像感应元件的相对两侧，并且从该基底的该第一侧延伸至该基底内，其中所述多个深沟槽隔离结构包括一反射元件配置为反射电磁辐射。