[发明专利]影像感应器集成芯片

权利要求书

1.一种影像感应器集成芯片，包括：

一影像感应元件，安排于一基底内；

多个突出部，沿该基底的一第一侧安排在该影像感应元件上方；

一或更多吸收增强层，安排在所述多个突出部上方且在所述多个突出部之间；以及

多个深沟槽隔离结构，安排在多个沟槽内且设置在该影像感应元件的相对两侧，并且从该基底的该第一侧延伸至该基底内，其中所述多个深沟槽隔离结构包括一反射元件配置为反射电磁辐射，其中该反射元件包括一空气间隙。

2.如权利要求1所述的影像感应器集成芯片，其中该反射元件包括一或更多金属通过一或更多介电材料与该基底隔开。

3.如权利要求2所述的影像感应器集成芯片，其中该空气间隙安排在一或更多金属下，且该空气间隙通过一或更多介电材料与该基底隔开。

4.如权利要求2所述的影像感应器集成芯片，其中所述一或更多吸收增强层包括：

一抗反射层；以及

一介电材料层，且该介电材料层通过该抗反射层与该基底隔开。

5.如权利要求4所述的影像感应器集成芯片，其中该抗反射层和该介电材料层将该反射元件与该基底横向隔开。

6.如权利要求4所述的影像感应器集成芯片，其中该抗反射层包括一高介电常数介电材料。

7.如权利要求1所述的影像感应器集成芯片，其中所述多个沟槽具有多个侧壁，所述多个侧壁各自包括一直线区段和在该直线区段与该基底的该第一侧之间的一弯曲区段。

8.如权利要求1所述的影像感应器集成芯片，更包括：

一导电接触件，安排在所述一或更多吸收增强层内且在该反射元件上方的位置，其中该导电接触件配置为耦接至一偏压源。

9.如权利要求1所述的影像感应器集成芯片，其中该反射元件以一段不为零的距离突出于所述多个突出部上方。

10.如权利要求1所述的影像感应器集成芯片，其中该反射元件具有一最高表面，该最高表面凹陷至低于该基底的该第一侧。

11.一种影像感应器集成芯片，包括：

一影像感应元件，安排于一基底内，其中该基底具有多个内表面，所述多个内表面定义出从该基底的一背侧延伸至该基底内且在该影像感应元件的相对两侧的多个沟槽；

多个突出部，沿着该基底的该背侧安排于该影像感应元件上方；

一或更多吸收增强层，在所述多个突出部上且与所述多个突出部接触；以及

多个反射元件，安排在所述多个沟槽内，其中所述多个反射元件通过一或更多介电材料与该基底隔开，其中所述多个反射元件各自包括一空气间隙。

12.如权利要求11所述的影像感应器集成芯片，其中所述多个反射元件各自包括具有不同材料的多个反射区。

13.如权利要求11所述的影像感应器集成芯片，更包括：

一或更多导电接触件，从所述一或更多吸收增强层的最高表面延伸至所述多个反射元件。

14.如权利要求11所述的影像感应器集成芯片，其中所述多个反射元件各自包括一或更多金属。

15.如权利要求14所述的影像感应器集成芯片，其中所述一或更多吸收增强层包括一高介电常数介电层，衬垫于定义出所述多个沟槽的所述多个内表面。

16.如权利要求11所述的影像感应器集成芯片，其中所述多个沟槽从安排在所述多个突出部的周期性阵列之间的水平延伸表面延伸至该基底内。