[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 201711240279.0 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108198913B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述缓冲层包括交替生长的(n+1)个第一氮化镓层和n个第二氮化镓层，n≥2且n为整数；每个所述第二氮化镓层的生长温度高于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长温度，每个所述第二氮化镓层的生长速率快于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长速率，每个所述第二氮化镓层的厚度小于各自相邻的所述第一氮化镓层的厚度。本发明利用较高生长温度的第二氮化镓层晶体质量较高，大幅提高缓冲层整体的晶体质量，减少缺陷产生，提高发光二极管的发光效率和抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓层 生长 缓冲层 发光二极管外延 衬底 半导体技术领域 未掺杂氮化镓层 多量子阱层 发光二极管 抗静电能力 发光效率 交替生长 缺陷产生 高生长 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述缓冲层包括交替生长的(n+1)个第一氮化镓层和n个第二氮化镓层，n≥2且n为整数；每个所述第二氮化镓层的生长温度高于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长温度，每个所述第二氮化镓层的生长速率快于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长速率，每个所述第二氮化镓层的厚度小于各自相邻的所述第一氮化镓层的厚度。
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