[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 201711240279.0 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108198913B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓层 生长 缓冲层 发光二极管外延 衬底 半导体技术领域 未掺杂氮化镓层 多量子阱层 发光二极管 抗静电能力 发光效率 交替生长 缺陷产生 高生长 | ||
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；
其中，所述缓冲层包括交替生长的(n+1)个第一氮化镓层和n个第二氮化镓层，n≥2且n为整数；每个所述第二氮化镓层的生长温度高于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长温度，每个所述第二氮化镓层的生长速率快于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长速率，每个所述第二氮化镓层的厚度小于各自相邻的所述第一氮化镓层的厚度。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，每个所述第二氮化镓层的生长温度比各自相邻的所述第一氮化镓层的生长温度高20℃～60℃。
3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，各个所述第二氮化镓层的生长温度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层升高。
4.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，各个所述第一氮化镓层的生长温度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层升高。
5.根据权利要求1～4任一项所述的生长方法，其特征在于，各个所述第二氮化镓层的生长速率为各自相邻的所述第一氮化镓层的生长速率的5倍～10倍。
6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，各个所述第二氮化镓层的生长速率沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层变快。
7.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，各个所述第一氮化镓层的生长速率沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层变快。
8.根据权利要求1～4任一项所述的生长方法，其特征在于，所述n个第二氮化镓层的总厚度为所述(n+1)个第一氮化镓层的总厚度的1/6～1/3。
9.根据权利要求8所述的生长方法，其特征在于，各个所述第二氮化镓层的厚度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层增大。
10.根据权利要求1～4任一项所述的生长方法，其特征在于，每个所述第一氮化镓层与所述第二氮化镓层相邻的部分中掺杂有铝。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711240279.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
