[发明专利]一种MRAM芯片的阵列结构在审
| 申请号： | 201711237712.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109859784A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;王践识 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MRAM芯片的阵列结构，包括有源区、字线、源极线、MTJ和位线。有源区和字线跨越的栅极区域组成NMOS管；字线跨越有源区，并将有源区分割成源极区和漏极区；MTJ的底部与漏极区相连，顶部与位线相连，位线与字线垂直；共用同一条字线的同一行中多个MRAM的记忆单元中相邻的两个单元的源极区扩展依次连接形成源极线；每两个由字线连接的行，相邻的NMOS管共用一个所述源极区，两行共用一条所述源极线。本发明利用有源区制成源极线，使得MRAM存储单元变小，有效地提高了MRAM存储芯片的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 源区 源极线 位线 阵列结构 漏极区 源极区 芯片 存储芯片 记忆单元 依次连接 栅极区域 有效地 变小 成源 极区 垂直 分割 | ||
【主权项】：
1.一种MRAM芯片的阵列结构，所述阵列结构包括有源区、字线、源极线、MTJ和位线；所述有源区和所述字线跨越的栅极区域组成NMOS管，所述NMOS管建筑在P型基底上的N型掺杂区的有源区上；所述字线跨越所述有源区，并将所述有源区分割成源极区和漏极区；所述MTJ的底部与所述漏极区相连，顶部与所述位线相连，所述位线与所述字线垂直；其特征在于，同一条字线连接的多个存储单元为一行，共用同一条所述字线的同一行多个存储单元中相邻的两个存储单元的所述源极区扩展依次连接形成所述源极线；每两个由所述字线连接的行，相邻的所述NMOS管共用一个所述源极区，两行共用一条所述源极线。
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