[发明专利]一种MRAM芯片的阵列结构在审
| 申请号： | 201711237712.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109859784A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;王践识 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 字线 源区 源极线 位线 阵列结构 漏极区 源极区 芯片 存储芯片 记忆单元 依次连接 栅极区域 有效地 变小 成源 极区 垂直 分割 | ||
【权利要求书】：
1.一种MRAM芯片的阵列结构，所述阵列结构包括有源区、字线、源极线、MTJ和位线；所述有源区和所述字线跨越的栅极区域组成NMOS管，所述NMOS管建筑在P型基底上的N型掺杂区的有源区上；所述字线跨越所述有源区，并将所述有源区分割成源极区和漏极区；所述MTJ的底部与所述漏极区相连，顶部与所述位线相连，所述位线与所述字线垂直；其特征在于，
同一条字线连接的多个存储单元为一行，共用同一条所述字线的同一行多个存储单元中相邻的两个存储单元的所述源极区扩展依次连接形成所述源极线；每两个由所述字线连接的行，相邻的所述NMOS管共用一个所述源极区，两行共用一条所述源极线。
2.如权利要求1所述的MRAM芯片的阵列结构，其特征在于，所述有源区的电阻上面具有降低电阻的涂层。
3.如权利要求2所述的MRAM芯片的阵列结构，其特征在于，所述涂层为Silicide。
4.如权利要求1-3任一所述的MRAM芯片的阵列结构，其特征在于，所述阵列还包括金属源极线，所述金属源极线通过接触点与所述源极线相连。
5.如权利要求4任一所述的MRAM芯片的阵列结构，其特征在于，所述金属源极线与所述字线垂直。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711237712.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3D存储器阵列中的字线桥
- 下一篇：一种时钟自适应访问MRAM的装置
