[发明专利]一种湿法制备薄膜方法有效
| 申请号： | 201711236440.7 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107978513B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李喜峰;姜姝;杨祥;陈龙龙;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种湿法制备薄膜方法，包括：将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中，得到前驱体溶液；根据所述前驱体溶液制备初始薄膜；对所述初始薄膜进行前期退火；前期退火完成后进行指定次数循环的水蒸气热处理，获得成品薄膜。采用本发明中的方法能够使水蒸气氧化退火处理过程中的水氧率保持恒定，从而提高有源层薄膜和绝缘层薄膜的质量，进一步提升薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿法制备薄膜方法，其特征在于，包括：/n将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中，得到前驱体溶液；/n根据所述前驱体溶液制备初始薄膜；/n对所述初始薄膜进行前期退火；/n前期退火完成后进行指定次数循环的水蒸气热处理，获得成品薄膜；/n所述前期退火完成后进行指定次数循环的水蒸气热处理，获得成品薄膜，具体包括：/n将经退火后的所述初始薄膜放入退火炉中的石英舟上，所述退火炉温度从常温升至400℃；/n向所述退火炉中通入水蒸气，所述水蒸气通入时间保持10s；/n所述退火炉保持400℃恒温干燥30s后再次通入水蒸气进行下一次循环；/n进行10～15次循环过程，得到成品薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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