[发明专利]一种湿法制备薄膜方法有效
申请号: | 201711236440.7 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107978513B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 李喜峰;姜姝;杨祥;陈龙龙;张建华 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人: | 王戈 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 制备 薄膜 方法 | ||
本发明公开一种湿法制备薄膜方法,包括:将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中,得到前驱体溶液;根据所述前驱体溶液制备初始薄膜;对所述初始薄膜进行前期退火;前期退火完成后进行指定次数循环的水蒸气热处理,获得成品薄膜。采用本发明中的方法能够使水蒸气氧化退火处理过程中的水氧率保持恒定,从而提高有源层薄膜和绝缘层薄膜的质量,进一步提升薄膜晶体管的性能。
技术领域
本发明涉及退火处理领域,特别是涉及一种湿法制备薄膜方法。
背景技术
近年来,薄膜晶体管作为液晶显示以及有机发光二极管有源驱动的开关器件,得到了广泛的研究。真空方法制备薄膜晶体管已经开始商业化,但是其制造设备昂贵,成本高等因素无法满足低成本的需求。因此,需要开发喷墨打印,丝网印刷,溶液旋涂等低成本制备薄膜晶体管的方法。但以上方法制备的有源层和绝缘层薄膜往往难以稳定地得到高的薄膜晶体管的特性,针对以上问题,可以通过水蒸气氧化退火处理即湿法制备薄膜来控制氧缺陷量和降低缺陷能级,提高迁移率。另外,现有的水蒸气氧化退火技术通常都为直接通入水蒸气,氧化过程并不充分,导致薄膜表面粗糙,透射率低的缺点。
发明内容
本发明的目的是提供一种湿法制备薄膜方法,能够解决水蒸气氧化退火处理过程中的水氧率不恒定、有源层薄膜和绝缘层薄膜的质量差的问题。
为实现上述目的,本发明提供了如下方案:
一种湿法制备薄膜方法,包括:
将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中,得到前驱体溶液;
根据所述前驱体溶液制备初始薄膜;
对所述初始薄膜进行前期退火;
前期退火完成后进行指定次数循环的水蒸气热处理,获得成品薄膜。
可选的,所述将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中,得到前驱体溶液具体包括:
根据所述溶质金属化合物和所述有机溶剂的混合摩尔比,将所述溶质金属化合物溶解于所述有机溶剂中得到混合溶液;
对所述混合溶液进行混合、搅拌,待所述混合溶液澄清后,得到前驱体溶液。
可选的,所述根据所述前驱体溶液制备初始薄膜具体包括:
将普通玻璃载片作为衬底,用分析纯丙酮、酒精和去离子水依次对所述衬底进行超声波清洗;
对清洗过的所述衬底进行烘干;
对烘干后的所述衬底根据所述前驱体溶液进行涂抹,得到初始薄膜。
可选的,所述对所述初始薄膜进行前期退火具体包括:
退火温度为100~200℃,退火时间为10min,气氛为空气。
可选的,所述前期退火完成后进行指定次数循环的水蒸气热处理,获得成品薄膜具体包括:
将经退火后的所述初始薄膜放入退火炉中的石英舟上,所述退火炉温度从常温升至400℃;
向所述退火炉中通入水蒸气,所述水蒸气通入时间保持10s;
所述退火炉保持400℃恒温干燥30s后再次通入水蒸气进行下一次循环;
进行10~15次循环过程,得到成品薄膜。
根据本发明提供的具体实施例,本发明公开了以下技术效果:
本发明提供的湿法制备薄膜方法采用多循环分步式通入水蒸气的方式制备薄膜,氧化反应更加充分,缩短了退火时间,降低了有源层和绝缘层薄膜表面粗糙度,提高了透射率、器件性能以及制备的薄膜质量;并且多循环分步加入水蒸气,还可以通过步数调控通入的水蒸气量。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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