[发明专利]一种湿法制备薄膜方法有效
申请号: | 201711236440.7 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107978513B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 李喜峰;姜姝;杨祥;陈龙龙;张建华 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人: | 王戈 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 制备 薄膜 方法 | ||
1.一种湿法制备薄膜方法,其特征在于,包括:
将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中,得到前驱体溶液;
根据所述前驱体溶液制备初始薄膜;
对所述初始薄膜进行前期退火;
前期退火完成后进行指定次数循环的水蒸气热处理,获得成品薄膜;
所述前期退火完成后进行指定次数循环的水蒸气热处理,获得成品薄膜,具体包括:
将经退火后的所述初始薄膜放入退火炉中的石英舟上,所述退火炉温度从常温升至400℃;
向所述退火炉中通入水蒸气,所述水蒸气通入时间保持10s;
所述退火炉保持400℃恒温干燥30s后再次通入水蒸气进行下一次循环;
进行10~15次循环过程,得到成品薄膜。
2.根据权利要求1所述的湿法制备薄膜方法,其特征在于,所述将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中,得到前驱体溶液,具体包括:
根据所述溶质金属化合物和所述有机溶剂的混合摩尔比,将所述溶质金属化合物溶解于所述有机溶剂中得到混合溶液;
对所述混合溶液进行混合、搅拌,待所述混合溶液澄清后,得到前驱体溶液。
3.根据权利要求1所述的湿法制备薄膜方法,其特征在于,所述根据所述前驱体溶液制备初始薄膜,具体包括:
将普通玻璃载片作为衬底,用分析纯丙酮、酒精和去离子水依次对所述衬底进行超声波清洗;
对清洗过的所述衬底进行烘干;
对烘干后的所述衬底根据所述前驱体溶液进行涂抹,得到初始薄膜。
4.根据权利要求1所述的湿法制备薄膜方法,其特征在于,所述对所述初始薄膜进行前期退火,具体包括:
退火温度为100~200℃,退火时间为10min,气氛为空气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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