[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201711230971.5 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109390302A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘醇鸿;陈宪伟;陈明发 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明的一些实施例揭露一种半导体结构，所述半导体结构包含衬底、放置于所述衬底的第一表面上方的裸片、放置于所述衬底的第二表面上方的RDL、放置于所述RDL内的导电结构。所述导电结构经配置为密封环，所述密封环在制作或单粒化期间保护所述RDL及所述衬底免遭由裂缝、碎片或其它污染物引起的损坏。如此，可最小化或防止在制作或单粒化期间组件的脱层或对所述半导体结构的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 衬底 导电结构 单粒化 密封环 第二表面 第一表面 最小化 裸片 脱层 制作 裂缝 制造 污染物 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：第一衬底，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；通路，其延伸穿过所述第一衬底；裸片，其放置于所述第一衬底的所述第一表面上方；重布层RDL，其放置于所述第一衬底的所述第二表面上方，且包含所述第二表面上方的介电层、放置于所述介电层内并电连接到所述通路的第一导电结构，及放置于所述介电层内并与所述通路电隔离的第二导电结构；第二衬底，其包含第三表面及与所述第三表面相对的第四表面；及导电凸块，其放置于所述第二衬底的所述第三表面与所述RDL之间且将所述第一导电结构与所述第二衬底接合在一起。
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