[发明专利]磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置及电气系统在审

专利信息
申请号: 201711226585.9 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107947773A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 任先文;谭志远;甘孔银;孙会;刘平;于婷;周明远 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号: H03K17/13 分类号: H03K17/13;H03K17/082;H03K17/16
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)11357 代理人: 张素红
地址: 621900*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置及电气系统,属于航天器电源技术领域,该装置包括母线连接回路、栅极控制及驱动回路和信号控制输入端,母线连接回路包括高电压母线连接端、功率半导体开关MOSFET、负载下拉电阻、负载输入电容、用电设备和母线回路地连接端,栅极控制及驱动回路包括低压直流线性可调电源、隔离变压器、低压高频开关管、控制回线地连接端和控制信号整流桥,信号控制输入端包括直流控制信号输入端、脉冲驱动信号输入端和用电设备使能控制信号输入端,本发明可以在“地电位”施加控制信号控制数百伏高电位下的功率半导体MOSFET开关,实现母线和用电设备的联通和断开,同时可以起到过压保护作用。
搜索关键词: 隔离 控制 半导体 开关 电源 软启停 保护装置 电气 系统
【主权项】:
一种磁隔离控制半导体开关的电源软启停和保护装置,其特征在于:包括母线连接回路、栅极控制及驱动回路和信号控制输入端;所述母线连接回路包括高电压母线连接端(1)、功率半导体开关MOSFET(2)、负载下拉电阻(4)、负载输入电容(5)、用电设备(6)和母线回路地连接端(15),所述高电压母线连接端(1)依次串联功率半导体开关MOSFET(2)、负载下拉电阻(4)和母线回路地连接端(15),所述负载输入电容(5)和用电设备(6)并联于负载下拉电阻(4)的两端;所述栅极控制及驱动回路包括低压直流线性可调电源(8)、隔离变压器(9)、低压高频开关管(14)、控制回线地连接端(16)和控制信号整流桥(10),所述低压直流线性可调电源(8)依次串联连接磁隔离变压器(9)的初级线圈、低压高频开关管(14)和控制回线地连接端(16),所述磁隔离变压器(9)次级线圈的输出端连接到控制信号整流桥(10)交流输入端,所述控制信号整流桥(10)直流输出端连接到功率半导体开关MOSFET(2)的栅极;所述信号控制输入端包括直流控制信号输入端(7)、脉冲驱动信号输入端(12)和用电设备使能控制信号输入端(17),所述直流控制信号输入端(7)连接低压直流线性可调电源(8),所述脉冲驱动信号输入端(12)连接低压高频开关管(14),所述用电设备使能控制信号输入端(17)连接用电设备(6)。
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