[发明专利]一种透明4H-SiC纳米孔阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201711224862.2 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108251888B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;赵连富;陈善亮;史新俊 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12 |
| 代理公司： | 33243 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种透明4H‑SiC纳米孔阵列的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)SiC单晶片依次在丙酮、酒精、去离子水清洗，然后在HF:C | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米孔阵列 去离子水 透明 酒精 阴极 光电器件领域 表面氧化物 电化学刻蚀 阳极 薄膜结构 单晶结构 功能单元 脉冲电压 平行放置 电解液 孔结构 石墨片 丙酮 常压 薄膜 冲洗 浸泡 配制 电源 清洗 应用 | ||
【主权项】：
1.一种透明
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