[发明专利]一种透明4H-SiC纳米孔阵列的制备方法

权利要求书

1.一种透明4H-SiC纳米孔阵列的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：

将N掺杂的4H-SiC单晶片裁剪成长×宽为1.5×0.5 cm²的单晶小片，室温、常压下依次在丙酮、酒精、去离子水超声清洗15 min，然后在40%HF: 99%C₂H₅OH体积比为1:1的溶液中浸泡2 min；

采用40%HF:99%C₂H₅OH: 30%H₂O₂体积比为3:6:1的混合溶液为电解液；

把SiC单晶小片作为阳极，石墨片作为阴极，将阳极与阴极平行放置于聚四氟乙烯电解槽中，阳极与阴极距离为2cm；

刻蚀脉冲电压为17 V，周期为0.8 s，停留时间为0.4 s，循环次数660；在整个刻蚀过程的最后30 s采用17 V恒压刻蚀，使透明4H-SiC纳米孔阵列从基体自然脱落；

将制备的透明4H-SiC纳米孔阵列依次用酒精、去离子水冲洗干净。