[发明专利]半导体设备和用于制造半导体设备的方法在审
| 申请号： | 201711219865.7 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122939A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 远藤信之;楠川将司;庄山敏弘 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 宋岩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了半导体设备和用于制造半导体设备的方法。半导体设备具有：具有光电转换部分的硅层；设置在硅层上的传输部分的传输电极；传输部分传输光电转换部分的电荷；以及绝缘体膜，具有位于传输电极和硅层之间的第一部分以及位于光电转换部分上的第二部分，绝缘体膜的第一部分和第二部分包含氮、氧和硅，并且第二部分中氮浓度显示出最大值的位置和硅层之间的距离大于第一部分中氮浓度显示出最大值的位置与硅层之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 硅层 光电转换 传输电极 绝缘体膜 浓度显示 传输 电荷 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，其特征在于，包括：硅层，具有光电转换部分；设置在硅层上的传输部分的传输电极，所述传输部分传输光电转换部分的电荷；以及绝缘体膜，具有位于传输电极和硅层之间的第一部分以及位于光电转换部分上的第二部分，所述绝缘体膜的第一部分和第二部分包含氮、氧和硅，并且第二部分中氮浓度显示出最大值的位置与硅层之间的距离大于第一部分中氮浓度显示出最大值的位置与硅层之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
