[发明专利]半导体设备和用于制造半导体设备的方法

说明书

公开了半导体设备和用于制造半导体设备的方法。半导体设备具有：具有光电转换部分的硅层；设置在硅层上的传输部分的传输电极；传输部分传输光电转换部分的电荷；以及绝缘体膜，具有位于传输电极和硅层之间的第一部分以及位于光电转换部分上的第二部分，绝缘体膜的第一部分和第二部分包含氮、氧和硅，并且第二部分中氮浓度显示出最大值的位置和硅层之间的距离大于第一部分中氮浓度显示出最大值的位置与硅层之间的距离。

技术领域

本技术涉及半导体设备。

背景技术

在半导体设备中，氮氧化硅膜(silicon oxynitride film)被用于栅极绝缘膜，以便实现栅极绝缘膜的栅极电容减小抑制和隧道电流抑制二者。

日本专利特开No.2010-56515公开了一种固态图像拾取设备，其中像素部分的MOS晶体管的栅极绝缘膜包含氮氧化物膜，并且氧化物膜被形成在像素部分的光电转换部分的正上方。此外，日本专利特开No.2010-56515公开了留下栅电极正下方的栅极绝缘膜，并去除其它区域的栅极绝缘膜。

发明内容

本公开的一个方面是一种半导体设备，所述半导体设备具有：硅层，具有光电转换部分；设置在硅层上的传输部分的传输电极，所述传输部分传输光电转换部分的电荷；以及绝缘体膜，具有位于传输电极和硅层之间的第一部分以及位于光电转换部分上的第二部分，所述绝缘体膜的第一部分和第二部分包含氮、氧和硅，并且第二部分中氮浓度显示出最大值的位置与硅层之间的距离大于第一部分中氮浓度显示出最大值的位置与硅层之间的距离。

本公开的另一个方面是一种制造半导体设备的方法，并且该方法包括：在设置在硅层上的包含氮、氧和硅的绝缘体膜上形成包括第一电极和第二电极的多个电极，以及在形成所述多个电极之后，在绝缘体膜和硅层之间生长氧化硅。

根据以下参考附图对示例性实施例的描述，本公开的其它特征将变得清楚。

附图说明

图1A和图1B是图示了根据当前公开的一个或多个方面的半导体设备的示意图。

图2是图示了根据当前公开的一个或多个方面的半导体设备的示意图。

图3A至图3C是图示了根据当前公开的一个或多个方面的半导体设备的示意图。

图4A至图4D是图示了根据当前公开的一个或多个方面的用于制造半导体设备的方法的示意图。

图5A至图5D是图示了根据当前公开的一个或多个方面的用于制造半导体设备的方法的示意图。

图6E至图6H是图示了根据当前公开的一个或多个方面的用于制造半导体设备的方法的示意图。

图7I至图7L是图示了根据当前公开的一个或多个方面的用于制造半导体设备的方法的示意图。

具体实施方式

在利用日本专利特开No.2010-56515中公开的技术的情况下，没有充分考虑半导体设备中的噪声特性。因此，该技术存在如下问题：作为光电转换部分中的噪声特性的暗电流和白点缺陷的减少不充分。

因此，本公开的一个目的是提供有利于提高半导体设备中的噪声特性的技术。

本技术在提高半导体设备中的噪声特性中是有利的。

在下文中，参考附图描述用于实现本公开的实施例。在下面的描述和附图中，在多个附图上相同的配置由相同的附图标记表示。有时相互参考多个附图来描述相同的配置而不进行特别说明。此外，有时省略对由相同的附图标记表示的配置的描述。