[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

摘要

本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。在本发明提供的氧化物薄膜晶体管制备方法中，通过在半导体层上依次形成第二绝缘层、栅极和第三绝缘层后，去除半导体层中待导体化区域上覆盖的第二绝缘层和第三绝缘层，再通过导体化工艺处理待导体化区域，形成导体化区域。从而使得待导体化区域在第二绝缘层的遮盖下，有效避免在形成第三绝缘层时对该待导体化区域过导体化。进而有效避免短沟道效应的产生，有效提升了顶栅结构氧化物薄膜晶体管的电学性能。

主权项

一种氧化物薄膜晶体管制备方法，包括：提供基板；在所述基板上依次形成遮光层、第一绝缘层和半导体层；在所述半导体层上依次形成第二绝缘层、栅极和第三绝缘层，其中，第二绝缘层在所述基板上的投影覆盖所述半导体层在所述基板上的投影；去除所述半导体层中待导体化区域上覆盖的第二绝缘层和第三绝缘层；通过导体化工艺处理所述待导体化区域，形成导体化区域；在所述导体化区域上形成第一电极和第二电极。