[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。在本发明提供的氧化物薄膜晶体管制备方法中，通过在半导体层上依次形成第二绝缘层、栅极和第三绝缘层后，去除半导体层中待导体化区域上覆盖的第二绝缘层和第三绝缘层，再通过导体化工艺处理待导体化区域，形成导体化区域。从而使得待导体化区域在第二绝缘层的遮盖下，有效避免在形成第三绝缘层时对该待导体化区域过导体化。进而有效避免短沟道效应的产生，有效提升了顶栅结构氧化物薄膜晶体管的电学性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

顶栅结构氧化物薄膜晶体管(Oxide Thin Film Transistor，Oxide TFT)是一种栅极在沟道区上方的TFT结构，因一般使用栅极对沟道区域进行光照保护，因此顶栅结构TFT电学性能通常优于底栅结构TFT。

然而，现有顶栅结构中氧化物半导体层在导体化处理后，会因后续工艺的高温以及等离子体轰击，导致该半导体层中已导体化的区域进一步导体化，使得沟道被缩短，产生短沟道效应。该短沟道效应会使得阈值电压负向漂移严重，影响TFT的稳定性，进而影响显示品质。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，解决顶栅结构TFT制成工艺中存在的短沟道效应问题。

一方面，提供了一种氧化物薄膜晶体管制备方法，包括：

提供基板；

在所述基板上依次形成遮光层、第一绝缘层和半导体层；

在所述半导体层上依次形成第二绝缘层、栅极和第三绝缘层，其中，第二绝缘层在所述基板上的投影覆盖所述半导体层在所述基板上的投影；

去除所述半导体层中待导体化区域上覆盖的第二绝缘层和第三绝缘层；

通过导体化工艺处理所述待导体化区域，形成导体化区域；

在所述导体化区域上形成第一电极和第二电极。

进一步地，在形成所述第三绝缘层前，通过构图工艺形成的第二绝缘层覆盖在所述半导体层上，以遮盖所述待导体化区域。

进一步地，覆盖在所述待导体化区域上的第二绝缘层的厚度大于预设厚度阈值。

进一步地，在所述导体化区域上形成第一电极和第二电极之前，还包括：去除所述遮光层设定区域上覆盖的第一绝缘层和第三绝缘层，形成电压平衡连接孔；其中，所述电压平衡连接孔用于在形成第一电极和第二电极后，实现遮光层与第一电极的连接。

进一步地，所述去除所述遮光层设定区域上覆盖的第一绝缘层和第三绝缘层，形成电压平衡连接孔的步骤，包括：去除所述遮光层设定区域上覆盖的第三绝缘层；在去除所述待导体化区域上覆盖的第三绝缘层和第二绝缘层的同时，去除所述遮光层设定区域上覆盖的第一绝缘层。

进一步地，所述去除所述遮光层设定区域上覆盖的第一绝缘层和第三绝缘层，形成电压平衡连接孔的步骤，包括：在去除所述待导体化区域上覆盖的第三绝缘层的同时，去除所述遮光层设定区域上覆盖的第三绝缘层；在去除所述待导体化区域上覆盖的第二绝缘层的同时，去除所述遮光层设定区域上覆盖的第一绝缘层。

进一步地，所述通过导体化工艺处理所述待导体化区域的步骤，包括：通过等离子体对所述待导体化区域进行导体化处理，以降低所述待导体化区域处半导体的氧含量。

进一步地，在所述导体化区域上形成第一电极和第二电极之后，还包括：在所述第一电极、所述第二电极以及所述第三绝缘层上形成第四绝缘层，作为钝化层。

另一方面，还提供了一种氧化物薄膜晶体管，采用上述任一种氧化物薄膜晶体管制备方法制备。