[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管制备方法，包括：

提供基板；

在所述基板上依次形成遮光层、第一绝缘层和半导体层；

在所述半导体层上依次形成第二绝缘层、栅极和第三绝缘层，其中，所述第二绝缘层在所述基板上的正投影与所述半导体层在所述基板上的正投影重叠；且覆盖在待导体化区域上的所述第二绝缘层的厚度大于预设厚度阈值；

去除所述半导体层中所述待导体化区域上覆盖的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层；

通过导体化工艺处理所述待导体化区域，形成导体化区域；

在所述导体化区域上形成第一电极和第二电极；

其中，对所述第二绝缘层和所述第三绝缘层先采用高速刻蚀，再采用低速刻蚀以形成连接孔；

所述第二绝缘层被配置为保护所述半导体层，以避免在形成所述第三绝缘层时对所述待导体化区域的过导体化；

其中，制备得到的所述氧化物薄膜晶体管的所述第二绝缘层包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第二绝缘层位于所述第一区域的部分沿垂直于所述基板方向的厚度大于所述第二绝缘层位于所述第二区域的部分沿垂直于所述基板方向的厚度；

所述栅极与所述第二绝缘层位于所述第一区域的部分直接接触；

所述第三绝缘层包括平坦部和围绕所述平坦部的凸出部，所述平坦部覆盖所述栅极远离所述基板的表面，所述凸出部包裹所述栅极的侧面、包裹所述第二绝缘层位于所述第一区域的部分的侧面、并延伸至所述第二绝缘层位于所述第二区域的部分处，所述凸出部与所述第二绝缘层位于所述第二区域的部分相连；

导体化工艺包括采用氦气等离子体、氨气等离子体、氢气等离子体对所述待导体化区域进行处理。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述导体化区域上形成第一电极和第二电极之前，还包括：

去除所述遮光层设定区域上覆盖的第一绝缘层和第三绝缘层，形成电压平衡连接孔；

其中，所述电压平衡连接孔用于在形成第一电极和第二电极后，实现遮光层与第一电极的连接。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述遮光层设定区域上覆盖的第一绝缘层和第三绝缘层，形成电压平衡连接孔的步骤，包括：

去除所述遮光层设定区域上覆盖的第三绝缘层；

在去除所述待导体化区域上覆盖的第三绝缘层和第二绝缘层的同时，去除所述遮光层设定区域上覆盖的第一绝缘层。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述遮光层设定区域上覆盖的第一绝缘层和第三绝缘层，形成电压平衡连接孔的步骤，包括：

在去除所述待导体化区域上覆盖的第三绝缘层的同时，去除所述遮光层设定区域上覆盖的第三绝缘层；

在去除所述待导体化区域上覆盖的第二绝缘层的同时，去除所述遮光层设定区域上覆盖的第一绝缘层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过导体化工艺处理所述待导体化区域的步骤，包括：

通过等离子体对所述待导体化区域进行导体化处理，以降低所述待导体化区域处半导体的氧含量。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述导体化区域上形成第一电极和第二电极之后，还包括：

在所述第一电极、所述第二电极以及所述第三绝缘层上形成第四绝缘层，作为钝化层。

7.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1至6中任一项所述的氧化物薄膜晶体管制备方法制备。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求7所述的氧化物薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。