[发明专利]芯片封装结构的制造方法在审
| 申请号： | 201711210160.9 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109216203A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃;陈硕懋;许峯诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供芯片封装结构的制造方法，此方法包含在载体基底上方形成第一介电层，第一介电层是连续的介电层且具有开口。此方法包含在第一介电层上方和在开口中形成第一布线层，第一介电层和第一布线层一起形成重分布结构，且重分布结构具有第一表面和第二表面。此方法包含在第一表面上方设置第一芯片和第一导电凸块，在第一表面上方形成第一模制层，以及移除载体基底。此方法还包含在第二表面上方设置第二芯片和第二导电凸块，以及在第二表面上方形成第二模制层。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 第二表面 第一表面 芯片封装结构 重分布结构 导电凸块 布线层 基底 制层 开口 芯片 第二模 第一模 移除 制造 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装结构的制造方法，包括：在一载体基底上方形成一第一介电层，其中该第一介电层具有多个第一开口；在该第一介电层上方和在所述多个第一开口中形成一第一布线层，其中该第一介电层和该第一布线层一起形成一重分布结构，且该重分布结构具有一第一表面和与该第一表面相反的一第二表面；在该第一表面上方设置一第一芯片和一第一导电凸块，其中该第一导电凸块介于该第一芯片和该重分布结构之间；在该第一表面上方形成一第一模制层以环绕该第一芯片和该第一导电凸块；移除该载体基底；在该第二表面上方设置一第二芯片和一第二导电凸块，其中该第二导电凸块介于该第二芯片和该重分布结构之间；以及在该第二表面上方形成一第二模制层以环绕该第二芯片和该第二导电凸块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
