[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201711205591.6 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108933138A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李建璋;蔡濬泽;杭孟琦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件包含基板。半导体元件进一步包含第一多晶硅结构于基板之上。第一多晶硅结构具有第一晶粒尺寸。半导体元件进一步包含第一阻障层于第一多晶硅结构之上。第一多晶硅结构中至少一晶界接触第一阻障层。半导体元件进一步包含第二多晶硅结构于第一阻障层之上。第二多晶硅结构具有小于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅结构 半导体元件 晶粒 阻障层 基板 晶界 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板；一第一多晶硅结构，于该基板之上，其中该第一多晶硅结构具有一第一晶粒尺寸；一第一阻障层，于该第一多晶硅结构之上，其中该第一多晶硅结构的至少一晶界接触该第一阻障层；以及一第二多晶硅结构，于该第一阻障层之上，其中该第二多晶硅结构具有小于该第一晶粒尺寸的一第二晶粒尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
