[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711192049.1 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108172508A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 吉田博之;高桥一平;浦上泰 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，有效地形成相对于SiC晶片的接触电阻低的硅化物层。一种半导体装置的制造方法，包括：对SiC晶片的表面进行磨削，且在露出于所述表面露出的范围形成具有5nm以上的厚度的破碎层的工序；形成将所述破碎层覆盖的金属层的工序；及通过加热来使所述金属层与所述破碎层反应，由此形成与所述SiC晶片欧姆接触的硅化物层，且被所述金属层覆盖的范围的所述破碎层的至少一部分在其厚度方向整个区域变化为硅化物层的工序。 1 | ||
| 搜索关键词： | 破碎层 半导体装置 硅化物层 金属层 制造 接触电阻 欧姆接触 整个区域 有效地 覆盖 磨削 加热 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
对SiC晶片的表面进行磨削，且在露出于所述表面的范围形成具有5nm以上的厚度的破碎层的工序；
形成将所述破碎层覆盖的金属层的工序；及
通过加热来使所述金属层与所述破碎层反应，由此形成与所述SiC晶片欧姆接触的硅化物层，且被所述金属层覆盖的范围的所述破碎层的至少一部分在其厚度方向整个区域变化为硅化物层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
