[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置的制造方法，有效地形成相对于SiC晶片的接触电阻低的硅化物层。一种半导体装置的制造方法，包括：对SiC晶片的表面进行磨削，且在露出于所述表面露出的范围形成具有5nm以上的厚度的破碎层的工序；形成将所述破碎层覆盖的金属层的工序；及通过加热来使所述金属层与所述破碎层反应，由此形成与所述SiC晶片欧姆接触的硅化物层，且被所述金属层覆盖的范围的所述破碎层的至少一部分在其厚度方向整个区域变化为硅化物层的工序。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

专利文献1公开了半导体装置的制造方法。该制造方法具有磨削工序、破碎层除去工序、金属层形成工序及硅化物层形成工序。在磨削工序中，对SiC晶片的表面进行磨削。在对SiC晶片的表面进行磨削时，在SiC晶片的表面附近的半导体层形成结晶缺陷。以下，将由于磨削而结晶缺陷密度上升的半导体层称为破碎层。需要说明的是，在专利文献1中，将破碎层称为加工改性层。在破碎层除去工序中，通过RIE(Reactive Ion Etching)、溅射、湿式蚀刻、干式蚀刻、干抛光、CMP(Chemical Mechanical Polishing)等来除去破碎层。在金属层形成工序中，在除去了破碎层的SiC晶片的表面形成金属层。在硅化物层形成工序中，通过加热而使金属层与SiC晶片反应，由此形成与SiC晶片欧姆接触的硅化物层。根据该制造方法，能够降低硅化物层与SiC晶片之间的接触电阻。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】国际公开第2012/049792号

发明内容

【发明要解决的课题】

在专利文献1的制造方法中，在除去了破碎层之后实施金属层形成工序和硅化物层形成工序，由此实现硅化物层相对于SiC晶片的接触电阻的降低。然而，在该制造方法中，由于需要除去破碎层，因此存在为了形成硅化物层所需的工序数多的问题。在本说明书中，提供一种能够更有效地形成相对于SiC晶片的接触电阻低的硅化物层的技术。

【用于解决课题的手段】

本说明书公开的半导体装置的制造方法具有磨削工序、金属层形成工序以及硅化物层形成工序。在所述磨削工序中，对SiC晶片的表面进行磨削。在所述磨削工序中，在露出于所述表面的范围形成具有5nm以上的厚度的破碎层。在所述金属层形成工序中，形成将所述破碎层覆盖的金属层。在所述硅化物层形成工序中，通过加热来使所述金属层与所述破碎层反应，由此形成与所述SiC晶片欧姆接触的硅化物层。在所述硅化物层形成工序中，被所述金属层覆盖的范围的所述破碎层的至少一部分在其厚度方向整个区域变化为硅化物层。

需要说明的是，上述的破碎层是指SiC晶片具有的半导体层中的通过磨削而结晶缺陷密度上升的半导体层。破碎层形成于在SiC晶片的被磨削的表面露出的范围。

另外，上述的磨削工序是指对半导体晶片的表面进行磨削的工序，且形成具有5nm以上的厚度的破碎层的工序。例如，通过磨粒等对半导体晶片的表面进行机械切削的工序是磨削工序的一种。而且，也存在CMP等那样几乎不产生破碎层的磨削加工。在这种磨削加工中，由于破碎层的厚度小于5nm，因此这种磨削加工不是本说明书中所说的磨削工序。

另外，上述的硅化物层是包含金属层与破碎层反应而生成的硅化物的层。