[发明专利]一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法

摘要

本发明公开了一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法，在制造OTFT结构时，上下邻近的材料使用同一掩模，一次曝光，依次显影或蚀刻完成各层材料的图案化；其中，在制造底栅底接触的OTFT结构时，有机半导体层和钝化层使用一张掩膜版，如果有机半导体层和钝化层是光固材料，则一次曝光、显影可完成这两种材料的图案化，否则可以以钝化层为掩模对有机半导体层进行蚀刻，整个OTFT阵列基板形成需要4张掩膜版；在制造顶栅底接触的OTFT结构时，有机半导体层、栅绝缘层、栅金属电极和扫描线使用一张掩膜版，一次曝光、显影，三次蚀刻完成三层材料的图案化，整个OTFT阵列基板形成需要4张掩膜版。本发明方法提高了对位精度，提高了生产效率。

主权项

一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法，用于制造底栅底接触结构基板，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在基板上采用成膜手段制备第一导电层，所述第一导电层的材质为金属、金属氧化物或非金属；步骤2：使用第一张掩膜版，采用光刻工艺和湿法刻蚀完成OTFT栅电极，扫描线及其接触脚位，存储电容电极及其公共端脚位的图案化；步骤3：采用成膜手段制备绝缘层材料，使用第二张掩膜版，采用光刻工艺和湿法刻蚀完成绝缘层的图案化，露出扫描线电极、存储电容公共脚位；对于接受一定波长的光就能发生交联固化的绝缘材料，即光固性材料通过所述光刻工艺和湿法刻蚀完成绝缘层材料的图案化，对接受一定波长的光就能发分解而溶于特定溶剂的绝缘层材料，即光溶性材料同样通过所述光刻工艺和湿法刻蚀完成绝缘层材料的图案化；步骤4：采用成膜手段制备第二导电层，使用第三张掩膜版，采用光刻工艺和湿法刻蚀完成源极、漏电极、像素电极、数据线及其接触脚位的图案化；其中，像素电极是放大的漏极；步骤5：连续采用成膜手段制备有机半导体层和绝缘保护层，使用第四张掩膜版，采用光刻工艺并以绝缘保护层材料为掩模，对有机半导体材料进行湿法蚀刻，完成半导体层和绝缘保护层的图案化；若对于同为光固或光溶性的、能溶于同一溶剂的有机半导体材料和绝缘层材料，通过一次所述光刻工艺和湿法刻蚀完成两层材料的图案化。