[发明专利]一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法

权利要求书

1.一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法，用于制造底栅底接触结构基板，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在基板上采用成膜手段制备第一导电层，所述第一导电层的材质为金属、金属氧化物或非金属；

步骤2：使用第一张掩膜版，采用光刻工艺和湿法刻蚀完成OTFT栅电极，扫描线及其接触脚位，存储电容电极及其公共端脚位的图案化；

步骤3：采用成膜手段制备绝缘层材料，使用第二张掩膜版，采用光刻工艺和湿法刻蚀完成绝缘层的图案化，露出扫描线电极、存储电容公共脚位；对于接受一定波长的光就能发生交联固化的绝缘材料，即光固性材料通过所述光刻工艺和湿法刻蚀完成绝缘层材料的图案化，对接受一定波长的光就能发分解而溶于特定溶剂的绝缘层材料，即光溶性材料同样通过所述光刻工艺和湿法刻蚀完成绝缘层材料的图案化；

步骤4：采用成膜手段制备第二导电层，使用第三张掩膜版，采用光刻工艺和湿法刻蚀完成源极、漏电极、像素电极、数据线及其接触脚位的图案化；其中，像素电极是放大的漏极；

步骤5：连续采用成膜手段制备有机半导体层和绝缘保护层，使用第四张掩膜版，采用光刻工艺并以绝缘保护层材料为掩模，对有机半导体材料进行湿法蚀刻，完成半导体层和绝缘保护层的图案化；若对于同为光固或光溶性的、能溶于同一溶剂的有机半导体材料和绝缘层材料，通过一次所述光刻工艺和湿法刻蚀完成两层材料的图案化。

2.如权利要求1所述的一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，在步骤1中，所述金属包括金、银、铜、铝、钼、钨及其合金，所述非金属包括石墨烯、碳纳米管及导电聚合物材料。

3.如权利要求1所述的一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，所述成膜手段包括沉积、涂布或印刷。

4.一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法，用于制造顶栅底接触结构基板，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在基板上采用成膜手段制备第一导电层，所述第一导电层的材质为金属、金属氧化物或非金属；

步骤2：使用第一张掩膜版，采用光刻工艺和湿法刻蚀完成OTFT源极、漏电极、数据线及其接触脚位、存储电容电极及其公共端脚位的图案化；

步骤3：连续采用成膜手段制备有机半导体、绝缘层材料和第二导电层；使用第二张掩膜版，采用光刻工艺一次曝光显影、三次蚀刻完成有机半导体、绝缘层材料和第二导电层的图案化；其中，三次蚀刻分别是第一次蚀刻第二导电层，即OTFT栅极及扫描线电极，第二次蚀刻绝缘层和第三次蚀刻有机半导体层；

步骤4：采用成膜手段制备层间绝缘层或平坦层材料，使用第三张掩膜版，采用光刻工艺和湿法刻蚀完成漏极-像素电极接触孔和周边数据、扫描线接触脚位图案；

步骤5：采用成膜手段制备第三导电层，使用第四张掩膜版，采用光刻工艺和湿法刻蚀完成像素电极的图案化。

5.如权利要求4所述的一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，在步骤1中，所述金属包括金、银、铜、铝、钼、钨及其合金；所述非金属包括石墨烯、碳纳米管及导电聚合物材料。

6.如权利要求4所述的一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，所述成膜手段包括沉积、涂布或印刷。