[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

摘要

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法。通过这种方法，本发明使用六道掩膜工艺形成阵列基板，相较于现有技术中的至少九道掩膜工艺，减少了掩膜工艺的次数，提高了生产效率，降低了生产成本，且省去了退火的工艺步骤，消除了退火工艺中氢爆的危险。

主权项

一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成导体层，并通过第一道掩膜工艺使得所述导体层形成第一源漏极导体区、第二源漏极导体区及像素电极区；通过第二道掩膜工艺使得所述第一源漏极导体区形成第一半导体区、所述第二源漏极导体区形成第二半导体区；在所述导体层上形成介电层；在所述介电层上通过第三道掩膜工艺形成栅极图案层；形成覆盖所述栅极图案层的保护层，并通过第四道掩膜工艺形成与所述第一源漏极导体区连通的第一过孔及与所述第二源漏极导体区连通的第二过孔；通过第五道掩膜工艺在所述第一过孔及所述第二过孔中形成连接所述第一源漏极导体区与所述第二源漏极导体区的第一连接图案层；在所述保护层上形成钝化层并通过第六道掩膜工艺裸漏至少部分所述像素电极区。