[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

AMOLED(有源矩阵有机发光二极管)因为具备轻薄、省电、固态显示、高频、主动发光、对比度高等特性，而越来越多的被使用，因此，作为AMOLED关键技术中的薄膜晶体管的制备也成为AMOLED制程中的重中之重。

现有技术中，AMOLED的薄膜晶体管一般通过至少九道掩膜工艺才能形成顶栅低温多晶硅薄膜晶体管，而至少九道的掩膜工艺导致薄膜晶体管的制备效率低、成本高。

发明内容

本发明主要是提供一种阵列基板及其制备方法，旨在解决阵列基板的掩膜工艺过多而使得阵列基板的制备效率低、成本高的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：在基板上形成导体层，并通过第一道掩膜工艺使得所述导体层形成第一源漏极导体区、第二源漏极导体区及像素电极区；通过第二道掩膜工艺使得所述第一源漏极导体区形成第一半导体区、所述第二源漏极导体区形成第二半导体区；在所述导体层上形成介电层；在所述介电层上通过第三道掩膜工艺形成栅极图案层；形成覆盖所述栅极图案层的保护层，并通过第四道掩膜工艺形成与所述第一源漏极导体区连通的第一过孔及与所述第二源漏极导体区连通的第二过孔；通过第五道掩膜工艺在所述第一过孔及所述第二过孔中形成连接所述第一源漏极导体区与所述第二源漏极导体区的第一连接图案层；在所述保护层上形成钝化层并通过第六道掩膜工艺裸漏至少部分所述像素电极区。。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管区及像素电极区，所述像素电极区至少部分裸露于所述薄膜晶体管区；其中，所述薄膜晶体管区包括：在基板上形成的源漏极导体区，所述像素电极区在所述基板上与所述源漏极导体区连接；覆盖所述源漏极导体区及所述像素电极区的介电层；形成于所述介电层上的栅极图案层；覆盖所述栅极图案层的保护层；形成于所述保护层上的钝化层。本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过六道掩膜工艺形成阵列基板的方法，相较于现有技术中的至少九道掩膜工艺，减少了掩膜工艺的次数，提高了生产效率，降低了生产成本。

附图说明

图1是本发明提供的阵列基板的制备方法实施例的流程示意图；

图2-图9是图1中各步骤形成的阵列基板的截面示意图；

图10是图1中步骤S11的具体流程示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种阵列基板及其制备方法做进一步详细描述。

共同参阅图1至图9，本发明提供的阵列基板的制备方法实施例包括：

S11：在基板101上形成导体层102；

参阅图10，该步骤S11可具体包括：

S111：在基板101上形成缓冲层103；

具体地，在将基板101清洗干净之后，可通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在基板101上沉积氮化硅或氧化硅膜层，以形成缓冲层103。

可选的，基板101包括但不限于玻璃基板或硅片基板。

S112：在缓冲层102上沉积石墨烯以形成导体层102。

具体地，可通过化学气相沉积法在缓冲层103上沉积石墨烯以形成导体层102。

S12：通过第一道掩膜工艺使得导体层102形成第一源漏极导体区104、第二源漏极导体区105及像素电极区106；

具体地，在导体层102上通过光阻涂布形成光阻层，然后通过曝光、显影处理以形成图案化光阻层，并在化学气相沉积室中通过氢气等离子处理技术，将图案化光阻层中未被光阻层覆盖的导体层102蚀刻掉，最后通过灰化工艺去除图案化光阻层，即可将导体层102形成两个间隔设置的部分，其中一部分为第一源漏极导体区104，另一部分为第二源漏极导体区105及像素电极区106。

S13：通过第二道掩膜工艺使得第一源漏极导体区104形成第一半导体区1041、第二源漏极导体区105形成第二半导体区1051；

具体地，依次通过光阻涂布、曝光及显影形成图案化光阻层以分别在第一源漏极导体区104和第二源漏极导体区105上定义出第一沟道区和第二沟道区，然后通过氮气等离子工艺使得第一沟道区和第二沟道区的石墨烯具有半导体特性，即可使得第一沟道区及第二沟道区形成第一半导体区1041及第二半导体区1051。