[发明专利]半导体存储装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201711179573.5 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108694981B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 尹大焕;李明元 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置及其操作方法。本文中提供了一种半导体存储装置。该半导体存储装置可包括：存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个存储块；外围电路，该外围电路被配置成在擦除操作期间将擦除电压施加到所述多个存储块当中的被选存储块的源线和多条选择线；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路在所述擦除电压被施加到所述被选存储块之前在所述被选存储块中包括的多个源选择晶体管中的至少一个的下方的区域中形成陷阱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个存储块；外围电路，该外围电路被配置成在擦除操作期间将擦除电压施加到所述多个存储块当中的被选存储块的源线和多条选择线；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路在所述擦除电压被施加到所述被选存储块之前在所述被选存储块中包括的多个源选择晶体管中的至少一个的下方的区域中形成陷阱。
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