[发明专利]背沟道蚀刻型TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种背沟道蚀刻型TFT基板及其制作方法。本发明的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法通过在溅射IGZO之前在有源层预定区域形成由多晶IGZO颗粒组成的第一IGZO薄膜，所述第一IGZO薄膜中的多晶IGZO颗粒在溅射过程中作为子晶生长成为结晶态良好的C轴结晶IGZO，形成第二IGZO薄膜，所述第二IGZO薄膜与第一IGZO薄膜共同组成有源层，由于有源层的表面以C轴结晶IGZO呈现，因此在源极与漏极的蚀刻过程中，有源层不会受到铜蚀刻液的损害，保证有源层的性能稳定，免去了特殊铜蚀刻液的开发，使制得的背沟道蚀刻型TFT基板具有稳定的电学性能。本发明的背沟道蚀刻型TFT基板采用上述制作方法形成，具有稳定的电学性能。

主权项

1.一种背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)及栅极(20)上形成栅极绝缘层(30)；在所述栅极绝缘层(30)上形成图形化的光阻层(35)，所述图形化的光阻层(35)在所述栅极绝缘层(30)上围出有源层预定区域(37)，得到待成膜基板(80)；制备多晶IGZO颗粒悬浮溶液(90)，将所述待成膜基板(80)浸泡于所述多晶IGZO颗粒悬浮溶液(90)中，所述光阻层(35)与栅极绝缘层(30)上覆盖一层多晶IGZO颗粒，形成第一IGZO薄膜(41)；剥离所述光阻层(35)，所述第一IGZO薄膜(41)上对应于有源层预定区域(37)的部分保留下来；采用溅射方法在所述第一IGZO薄膜(41)及栅极绝缘层(30)上沉积第二IGZO薄膜(42)，所述第二IGZO薄膜(42)上对应于所述第一IGZO薄膜(41)上方的部分以C轴结晶IGZO薄膜呈现，对应于所述栅极绝缘层(30)上方的部分以非晶IGZO薄膜呈现；对所述第二IGZO薄膜(42)进行图形化处理，去除所述第二IGZO薄膜(42)上对应于所述栅极绝缘层(30)上方且以非晶IGZO薄膜呈现的部分，保留所述第二IGZO薄膜(42)上对应于所述第一IGZO薄膜(41)上方且以C轴结晶IGZO薄膜呈现的部分，保留的第二IGZO薄膜(42)与所述第一IGZO薄膜(41)共同组成有源层(40)；在所述有源层(40)及栅极绝缘层(30)上形成源极(51)与漏极(52)；在所述栅极绝缘层(30)、源极(51)、漏极(52)及有源层(40)上形成钝化层(60)，在所述钝化层(60)上形成对应于所述漏极(52)上方的通孔(61)；在所述钝化层(60)上形成像素电极(70)，所述像素电极(70)经由通孔(61)与所述漏极(52)相接触。