[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的实施例提供了一种包括SRAM单元的半导体器件。SRAM单元包括第一至第五有源区。第一至第四有源区分别包括第一至第四晶体管的沟道区和源极/漏极(S/D)区，并且第五有源区包括第五和第六晶体管的沟道区和S/D区。SRAM单元还包括被配置为设置在第一至第六晶体管的沟道区上方的第一至第六栅极。第一和第二栅极电连接。第三和第四栅极电连接。SRAM单元还包括第一导电部件，其中，该第一导电部件电连接第一晶体管的一个S/D区、第二晶体管的一个S/D区和第三栅极。SRAM单元还包括第二导电部件，其中，该第二导电部件电连接第二栅极、第三晶体管的一个S/D区、第四晶体管的一个S/D区和第五栅极。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一有源区、第二有源区、第三有源区、第四有源区和第五有源区，沿第一方向从第一至第五顺序布置，其中，所述第一有源区、所述第二有源区、所述第三有源区和所述第四有源区分别包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的沟道区和源极/漏极(S/D)区，并且所述第五有源区包括第五晶体管和第六晶体管的沟道区和源极/漏极区；第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极、第五栅极和第六栅极，沿所述第一方向定向，其中，所述第一栅极至所述第六栅极分别被配置为设置在所述第一晶体管至所述第六晶体管的沟道区的上方，其中，所述第一栅极和所述第二栅极电连接，并且所述第三栅极和所述第四栅极电连接；一个或多个第一导电部件，电连接所述第一晶体管的源极和漏极区中的一个、所述第二晶体管的源极和漏极区中的一个和所述第三栅极；以及一个或多个第二导电部件，电连接所述第二栅极，所述第三晶体管的源极和漏极区中的一个、所述第四晶体管的源极和漏极区中的一个和所述第五栅极。