[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一有源区、第二有源区、第三有源区、第四有源区和第五有源区，沿第一方向从第一至第五顺序布置，其中，所述第一有源区、所述第二有源区、所述第三有源区和所述第四有源区分别包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的沟道区和源极/漏极(S/D)区，并且所述第五有源区包括第五晶体管和第六晶体管的沟道区和源极/漏极区；

第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极、第五栅极和第六栅极，沿所述第一方向定向，其中，所述第一栅极至所述第六栅极分别被配置为设置在所述第一晶体管至所述第六晶体管的沟道区的上方，其中，所述第一栅极和所述第二栅极电连接，并且所述第三栅极和所述第四栅极电连接；

一个或多个第一导电部件，电连接所述第一晶体管的源极和漏极区中的一个、所述第二晶体管的源极和漏极区中的一个和所述第三栅极；以及

一个或多个第二导电部件，电连接所述第二栅极，所述第三晶体管的源极和漏极区中的一个、所述第四晶体管的源极和漏极区中的一个和所述第五栅极，

其中，所述一个或多个第二导电部件包括：

源极/漏极接触部件，设置在所述第四晶体管的源极/漏极区上方；以及

导电部件，电连接至所述第五栅极的侧部和所述源极/漏极接触部件的侧壁，

其中，所述第五栅极和所述第六栅极设置在所述第一栅极和所述第二栅极与所述第三栅极和所述第四栅极之间，并且其中，所述第一栅极和所述第四栅极分别超过所述第一有源区和所述第四有源区的宽度延伸，并且设计且制造为允许所述第一晶体管和所述第四晶体管彼此匹配。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源区至所述第五有源区中的每个均包括鳍，并且所述第一晶体管至所述第六晶体管中的每个均是鳍式场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第四晶体管具有第一导电类型，所述第二晶体管和所述第三晶体管具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且所述第五晶体管和第六晶体管具有相同的导电类型。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源区还包括第七晶体管的沟道区和源极/漏极区，并且所述第四有源区还包括第八晶体管的沟道区和源极/漏极区。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：第七栅极和第八栅极，其中，所述第七栅极和所述第八栅极被配置为分别设置在所述第七晶体管和所述第八晶体管的沟道区的上方。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一个或多个第二导电部件包括：

源极/漏极接触部件，设置在所述第四晶体管的源极/漏极区上方；以及

对接接触件，将所述源极/漏极接触部件连接至所述第五栅极。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极接触部件还设置在所述第三晶体管的源极/漏极区上方。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述导电部件将所述源极/漏极接触部件电连接至所述第五栅极的下部。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一个或多个第二导电部件包括：

源极/漏极接触部件，设置在所述第四晶体管的源极/漏极区上方；

第一插塞，设置在所述源极/漏极接触部件上方；

第二插塞，设置在所述第五栅极上方；以及

导电布线，连接所述第一插塞和所述第二插塞。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沿一直线布置所述第一栅极、所述第二栅极和所述第六栅极，并且沿另一直线布置所述第三栅极、所述第四栅极和所述第五栅极。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沿一直线布置所述第一栅极、所述第二栅极和所述第五栅极，并且沿另一直线布置所述第三栅极、所述第四栅极和所述第六栅极。