[发明专利]一种采用新型沟道孔电连接层材料的3D NAND闪存制备方法及闪存有效
| 申请号： | 201711138109.1 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107994029B | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 方振 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种采用新型沟道孔电连接层材料的3D NAND闪存制备方法及闪存，所述方法包括：在衬底上沉积衬底堆叠结构；刻蚀所述堆叠结构以形成沟道孔，所述沟道孔通至所述衬底并形成一定深度的硅槽；在所述硅槽内沉积石墨烯外延层；形成沟道孔侧壁堆叠结构；刻蚀所述堆叠结构；沉积石墨烯连接层，所述石墨烯连接层将沟道孔侧壁堆叠结构中的石墨烯层和石墨烯外延层连通。由于薄的石墨烯薄膜具有非常高的迁移率(mobility)和非常高的机械强度，因此有助于增加读取电流并提高沟道孔结构稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 新型 沟道 连接 材料 nand 闪存 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种采用新型沟道孔电连接层材料的3D NAND闪存制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积衬底堆叠结构；刻蚀所述衬底堆叠结构的步骤，具体为，刻蚀所述堆叠结构以形成沟道孔，所述沟道孔通至所述衬底并形成一定深度的硅槽；在所述硅槽内沉积石墨烯外延层；形成沟道孔侧壁堆叠结构；刻蚀所述堆叠结构；沉积石墨烯连接层，所述石墨烯连接层将沟道孔侧壁堆叠结构中的石墨烯层和石墨烯外延层连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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