[发明专利]一种采用新型沟道孔电连接层材料的3D NAND闪存制备方法及闪存

权利要求书

1.一种采用新型沟道孔电连接层材料的3D NAND闪存制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上沉积衬底堆叠结构；

刻蚀所述衬底堆叠结构的步骤，具体为，刻蚀所述衬底堆叠结构以形成沟道孔，所述沟道孔通至所述衬底并形成一定深度的硅槽；

在所述硅槽内沉积石墨烯外延层；

形成沟道孔侧壁堆叠结构；

刻蚀所述沟道孔侧壁堆叠结构；

沉积石墨烯连接层，所述石墨烯连接层将沟道孔侧壁堆叠结构中的石墨烯层和石墨烯外延层连通。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层或多层交错堆叠的层间介质层及控制栅极层，所述牺牲介质层或控制栅极层形成于相邻的层间介质层之间；所述层间介质层为氧化物，所述牺牲介质层为氮化物，所述控制栅极层为多晶硅层或石墨烯层。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在形成石墨烯外延层后，还包括形成沟道孔侧壁堆叠结构，具体为，在所述沟道孔的侧壁及石墨烯外延层的表面上沉积堆叠结构，所述沟道孔侧壁堆叠结构包括阻挡层、存储层和隧穿层的氧化物-氮化物-氧化物结构(ONO)，然后在外层氧化物外面生成石墨烯层，并再在外面沉积氧化物层。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，刻蚀沟道孔侧壁堆叠结构，具体为，沿所述沟道孔侧壁堆叠结构的底壁向下刻蚀，通至所述石墨烯外延层并形成一定深度的凹槽；同时去除覆盖所述衬底堆叠结构顶面的所述沟道孔侧壁堆叠结构以露出所述衬底堆叠结构顶面，并去除所述沟道孔侧壁堆叠结构最外侧的氧化物层。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，沉积石墨烯连接层，在所述沟道孔侧壁堆叠结构的侧壁和所述凹槽的表面沉积石墨烯层以将沟道孔侧壁堆叠结构中的石墨烯层和石墨烯外延层连通。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，填充插塞，具体为，在石墨烯连接层内部沉积氮化硅作为沟道孔填充插塞。

7.如权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述沉积石墨烯为采用感应耦合等离子-化学气相沉积(ICP-CVD)的工艺，并以乙炔(C₂H₂)为原料。

8.一种采用新型沟道孔电连接层材料的3D NAND闪存，其特征在于，所述电连接层材料为石墨烯，所述闪存由权利要求1-6任意一项所述方法制备。