[发明专利]一种Si衬底发光二极管及制作方法有效
| 申请号： | 201711122687.6 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107895753B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;卓祥景;李俊贤;汪洋 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si衬底发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成SiN缓冲层；在SiN缓冲层背离衬底的一侧形成SiN与AlN混合渐变层；在SiN与AlN混合渐变层背离SiN缓冲层的一侧形成AlN缓冲层；在AlN缓冲层背离SiN与AlN混合渐变层的一侧依次形成GaN缓冲层、非故意掺杂层、第一导电层、有源区以及第二导电层层；其中，SiN与AlN混合渐变层包括依次设置的多层SiN与AlN混合层。该制作方法通过在SiN缓冲层与AlN缓冲层之间设置多层SiN与AlN混合层，降低了Si衬底的发光二极管外延层中氮化物的应力，进而使有源区的晶体质量得以有效提高，最终有效的提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si衬底发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成SiN缓冲层；在所述SiN缓冲层背离所述衬底的一侧形成SiN与AlN混合渐变层；在所述SiN与AlN混合渐变层背离所述SiN缓冲层的一侧形成AlN缓冲层；在所述AlN缓冲层背离所述SiN与AlN混合渐变层的一侧依次形成GaN缓冲层、非故意掺杂层、第一导电层、有源区以及第二导电层；其中，所述SiN与AlN混合渐变层包括依次设置的多层SiN与AlN混合层。
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