[发明专利]一种半导体加工机台的温度控制装置在审
| 申请号： | 201711117689.6 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107706139A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 顾海龙;裴雷洪;严骏;石庆秋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体加工机台的温度控制装置，其中包括，加热腔，加热腔设有加热部，用于提供照射热量；加工腔，包括旋转部，于工作工程中受控旋转；支撑部，设置于旋转部的上方，提供一支撑面用以支撑待加工半导体晶圆；玻璃隔层，设置于加热腔和所述加工腔之间，用于分隔加热腔和加工腔。本发明的技术方案有益效果在于公开了一种半导体加工机台的温度控制装置，通过优化玻璃隔层结构，均匀待加工半导体晶圆的温度，从而实现待加工半导体晶圆边缘所流失温度的补偿，并且延长了硬件部件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 加工 机台 温度 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体加工机台的温度控制装置，其特征在于，包括：加热腔，所述加热腔设有加热部，用于提供照射热量；加工腔，包括：旋转部，于工作工程中受控旋转；支撑部，设置于所述旋转部的上方，提供一支撑面用以支撑待加工半导体晶圆；玻璃隔层，设置于所述加热腔和所述加工腔之间，用于分隔所述加热腔和所述加工腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
