[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201711116668.2 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN108074902B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 近松健太郎;齐藤光俊;吉持贤一 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件,该半导体器件包括引线框架、晶体管、和密封树脂。引线框架具有漏极框架、源极框架、和栅极框架。漏极框架具有多个漏极框架指形部。源极框架具有多个源极框架指形部。漏极框架指形部和源极框架指形部在第1方向上交替地配置,且具有从第1方向看彼此重叠的部分。从第1方向看在漏极框架指形部和源极框架指形部彼此重叠的区域,漏极框架指形部和源极框架指形部的至少一者不从密封树脂的背面露出。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:引线框架;晶体管,其在一个面上具有多个漏极电极焊盘、多个源极电极焊盘、和栅极电极焊盘,各所述电极焊盘与所述引线框架的正面相对地配置,并且与所述引线框架连接;和密封树脂,其形成为矩形板状,以在背面露出所述引线框架的一部分的方式密封所述晶体管和所述引线框架,所述引线框架包括:与所述漏极电极焊盘电连接的漏极框架;与所述源极电极焊盘电连接的源极框架;和与所述栅极电极焊盘电连接的栅极框架,所述漏极框架具有多个漏极框架指形部,所述多个漏极框架指形部在第1方向上隔开间隔地排列,俯视时沿与所述第1方向正交的第2方向延伸,并且与所述漏极电极焊盘连接,所述源极框架具有多个源极框架指形部,所述多个源极框架指形部在所述第1方向上隔开间隔地排列,沿所述第2方向延伸,并且与所述源极电极焊盘连接,所述漏极框架指形部和所述源极框架指形部在所述第1方向上交替地配置,并且具有从所述第1方向看彼此重叠的部分,从所述第1方向看在所述漏极框架指形部和所述源极框架指形部彼此重叠的区域中,所述漏极框架指形部与所述源极框架指形部的至少一者没有从密封树脂的背面露出。
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