[发明专利]半导体器件

说明书

本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括引线框架、晶体管、和密封树脂。引线框架具有漏极框架、源极框架、和栅极框架。漏极框架具有多个漏极框架指形部。源极框架具有多个源极框架指形部。漏极框架指形部和源极框架指形部在第1方向上交替地配置，且具有从第1方向看彼此重叠的部分。从第1方向看在漏极框架指形部和源极框架指形部彼此重叠的区域，漏极框架指形部和源极框架指形部的至少一者不从密封树脂的背面露出。

技术领域

本发明涉及半导体器件。

背景技术

半导体器件包括：晶体管；配置晶体管的裸芯片焊盘(die pad)；引线框架；将晶体管的各电极连接到引线框架的接合线；和将晶体管和接合线密封的密封树脂(例如参照日本特开2012-178416号公报)。

有时会因将晶体管的各电极与引线框架连接的接合线而导致电感增加。

发明内容

本发明的目的在于抑制电感的增加。

为了达成上述目的，半导体器件包括引线框架、晶体管、和密封树脂。上述晶体管在一个面上具有多个漏极电极焊盘、多个源极电极焊盘、和栅极电极焊盘。上述晶体管中，上述各电极焊盘与上述引线框架的正面相对地配置，并且上述晶体管与上述引线框架连接。上述密封树脂形成为矩形板状，以在背面露出上述引线框架的一部分的方式将上述晶体管和上述引线框架密封。上述引线框架包括：与上述漏极电极焊盘电连接的漏极框架、与上述源极电极焊盘电连接的源极框架、和与上述栅极电极焊盘电连接的栅极框架。上述漏极框架具有多个漏极框架指形部。上述多个漏极框架指形部在第1方向上隔开间隔排列，俯视时沿与上述第1方向正交的第2方向延伸，且与上述漏极电极焊盘连接。上述源极框架具有多个源极框架指形部。上述多个源极框架指形部在上述第1方向上隔开间隔排列，沿上述第2方向延伸，且与上述源极电极焊盘连接。上述漏极框架指形部和上述源极框架指形部在上述第1方向上交替地配置，且具有从上述第1方向看彼此重叠的部分。从上述第1方向看在上述漏极框架指形部和上述源极框架指形部彼此重叠的区域，上述漏极框架指形部和上述源极框架指形部的至少一者不从密封树脂的背面露出。

本发明可以认为是新创的特征，特别是根据附加的权利要求书而明了。伴随目的和利益的本发明，通过参照以下所示的当前的优选的实施方式的说明和附图，能够理解。

附图说明

图1是半导体器件的第1实施方式的立体图。

图2是图1的半导体器件的晶体管的俯视图。

图3是图1的半导体器件的引线框架的俯视图。

图4是图3的引线框架的立体图。

图5是图3的5-5线的截面图。

图6是图3的6-6线的截面图。

图7是图3的侧视图。

图8是在引线框架上安装了晶体管的状态的俯视图。

图9是图1的半导体器件的底视图。

图10是表示半导体器件的制造方法的流程图。

图11是现有的半导体器件的底视图。

图12是表示在电路衬底的焊垫图案上安装半导体器件的样子的立体图。

图13是晶体管的一部分的俯视图。

图14A是将图13的一部分放大的俯视图。

图14B是将图13的一部分放大的俯视图。

图15是图14A的15-15线的截面图。

图16是使用了半导体器件的DC/DC转换器的电路图。