[发明专利]一种NAND串结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种NAND串结构，包括垂直贯穿等级层堆栈的通道孔，形成在通道孔内的介质层，以及形成在介质层内的半导体通道层；在通道孔的第一端，半导体通道层穿过介质层的开口与第一结构接触，介质层的开口在对初始介质层进行打孔刻蚀时形成，并在所述打孔刻蚀后的再次刻蚀工艺中被展宽；初始介质层覆盖所述通道孔的第一端。本发明能有效提升半导体通道层与硅外延层的接触面积，进而能显著降低半导体通道与硅外延层的接触电阻，实现良好的电性连接。

主权项

1.一种NAND串结构，其特征在于，包括形成在硅基板上的等级层堆栈、垂直贯穿等级层堆栈的通道孔、形成在所述通道孔底部且与硅基板接触的硅外延层、形成在所述通道孔内所述硅外延层上的介质层，以及形成在所述介质层内的半导体通道层；所述硅外延层上存在凹陷，所述半导体通道层穿过所述介质层的开口,与所述凹陷内壁及所述凹陷外围的所述硅外延层的至少部分上表面接触。