[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、多个栅极结构、多个介电结构以及间隙壁。所述多个栅极结构配置于所述基底上。所述多个介电结构分别配置于每一个所述栅极结构与所述基底之间，其中每一所述介电结构的顶部宽度小于底部宽度。所述间隙壁配置于所述栅极结构的侧壁上，且覆盖所述介电结构的侧壁。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底具有存储器区与周边区，其中所述存储器区中的所述基底上具有第一介电层，且所述周边区中的所述基底上具有第二介电层；在所述第一介电层上形成多个第一栅极结构以及在所述第二介电层上形成至少一第二栅极结构；在所述基底上形成第三介电层，所述第三介电层覆盖所述基底、所述第一介电层、所述第一栅极结构、所述第二介电层与所述第二栅极结构；移除所述第一栅极结构两侧的所述基底上的所述第一介电层与所述第三介电层；移除剩余的所述第三介电层与部分所述第一介电层；形成第四介电层，以覆盖所述第二栅极结构的侧壁、所述存储器区中的基底、所述第一介电层以及所述第一栅极结构；形成第五介电层，以覆盖所述周边区的所述基底与所述第二栅极结构；以及移除所述存储器区中的所述基底上的所述第四介电层。