[发明专利]一种碳化硅功率芯片背面减薄和制备欧姆接触的方法及产品在审
| 申请号： | 201711063523.0 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107706096A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;黄兴;倪炜江;张敬伟;李明山;牛喜平;徐妙玲;窦娟娟;耿伟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋,刘欢 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅功率芯片背面减薄和制备欧姆接触的方法及产品，该方法为假设原来设计需要减薄掉目标值为A，首先采用金刚石砂轮研磨减薄掉厚度C，然后采用深孔刻蚀在背面蚀刻出均匀间隔的深孔阵列，孔的深度约为B；其中，A＝B+C；在完成背面减薄和深孔刻蚀后制备欧姆接触，其方法为先背面高浓度离子注入，然后通过紫外激光激活退火激活所注入离子，再蒸发或溅射金属形成欧姆接触；或者不做背面离子注入，直接蒸发或溅射一层金属Ni或Ni与其他金属的合金，然后通过RTA或紫外激光退火使金属与背面的SiC间直接形成欧姆接触。本申请通过结合背面研磨、背面深孔刻蚀和RTA或紫外激光退火工艺,可以减少金刚石砂轮的耗量，降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 芯片 背面 制备 欧姆 接触 方法 产品 | ||
【主权项】：
一种碳化硅功率芯片背面减薄和制备欧姆接触的方法，其特征在于，所述方法为：假设原来设计需要减薄掉目标值为A，首先采用金刚石砂轮研磨减薄掉厚度C，然后采用深孔刻蚀在背面蚀刻出均匀间隔的深孔阵列，孔的深度约为B；其中，A＝B+C；在完成背面减薄和深孔刻蚀后制备欧姆接触，其方法为：先背面高浓度离子注入，表面注入浓度在5E18cm‑3以上，然后通过紫外激光激活退火激活所注入离子，再蒸发或溅射金属形成欧姆接触；或者不做背面离子注入，直接蒸发或溅射一层金属Ni或Ni与其他金属的合金，然后通过RTA或紫外激光退火使金属与背面的SiC间直接形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
