[发明专利]一种碳化硅功率芯片背面减薄和制备欧姆接触的方法及产品

权利要求书

1.一种碳化硅功率芯片背面减薄和制备欧姆接触的方法，其特征在于，所述方法为：假设原来设计需要减薄掉目标值为A，首先采用金刚石砂轮研磨减薄掉厚度C，然后采用深孔刻蚀在背面蚀刻出均匀间隔的深孔阵列，孔的深度约为B；其中，A＝B+C；在完成背面减薄和深孔刻蚀后制备欧姆接触，其方法为：先背面高浓度离子注入，表面注入浓度在5E18cm^-3以上，然后通过紫外激光激活退火激活所注入离子，再蒸发或溅射金属形成欧姆接触；或者不做背面离子注入，直接蒸发或溅射一层金属Ni或Ni与其他金属的合金，然后通过RTA或紫外激光退火使金属与背面的SiC间直接形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的碳化硅功率芯片背面减薄和制备欧姆接触的方法，其特征在于，所述深孔阵列由ICP，RIE或激光烧孔刻蚀工艺制作。

3.根据权利要求1所述的碳化硅功率芯片背面减薄和制备欧姆接触的方法，其特征在于，所述紫外激光退火的波长为200nm-400nm。

4.一种权利要求1-3任一所述的碳化硅功率芯片背面减薄和制备欧姆接触的方法所获得的产品，其特征在于，所述产品的背面设置有均匀间隔的深孔阵列；所述深孔阵列的深孔中填充有金属Ni或Ni与其他金属的合金。

5.根据权利要求4所述的产品，其特征在于，所述深孔阵列中深孔的深度为1um-100um。

6.根据权利要求4所述的产品，其特征在于，所述深孔阵列中深孔的直径为5um-50um。

7.根据权利要求4所述的产品，其特征在于，所述深孔阵列中深孔的密度为50-16000个/cm²。