[发明专利]一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体紫外光电探测器的技术领域，更具体地，涉及一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法。一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器，其中，包括衬底，利用金属有机化学气相沉积外延外生长法（或分子束外延生长法），依次在衬底上生长的非故意掺杂低温AlN缓冲层，非故意掺杂高温AlN缓冲层，非故意掺杂Al_mGa_1‑mN窗口层，n型Al_mGa_1‑mN层，n型Al_nGa_1‑nN组分缓变层，非故意掺杂Al_aGa_1‑aN吸收倍增层，非故意掺杂Al_bGa_1‑bN吸收倍增层，非故意掺杂Al_cGa_1‑cN吸收倍增层,Mg掺杂p型Al_xGa_1‑xN层，非故意掺杂Al_xGa_1‑xN层,n型Al_yGa_1‑yN组分缓变层和n型Al_zGa_1‑zN层，以及最后利用器件工艺沉积得到的n型欧姆接触电极。

主权项

1.一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器，其特征在于，包括衬底（1），利用外延生长法，依次在衬底（1）上生长的非故意掺杂低温AlN缓冲层（2），非故意掺杂高温AlN缓冲层（3），非故意掺杂Al_mGa_1‑mN窗口层（4），n型Al_mGa_1‑mN层（5），n型Al_nGa_1‑nN组分缓变层（6），非故意掺杂Al_aGa_1‑aN吸收倍增层（7），非故意掺杂Al_bGa_1‑bN吸收倍增层（8），非故意掺杂Al_cGa_1‑cN吸收倍增层（9）,Mg掺杂p型Al_xGa_1‑xN层（10），非故意掺杂Al_xGa_1‑xN层（11）,n型Al_yGa_1‑yN组分缓变层（12）和n型Al_zGa_1‑zN层（13），以及最后利用器件工艺沉积得到的n型欧姆接触电极（14）；所述的p型Al_xGa_1‑xN层（10）用作基区，所述n型Al_mGa_1‑mN层（5）用作集电区和欧姆电极接触层，所述的n型Al_zGa_1‑zN层（13）用作发射区和欧姆电极接触层；各层中Al组分m=0.6~0.8，a=0.55~0.75，b=0.47~0.67，c=0.38~0.47，x=0.38~0.47，z=0.5~0.6；Al组分a、b和c的大小关系应满足a>b>c。