[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711055286.3 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108022978A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李骏熙;裵寅浚 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括布置在基板上的第一阻挡层和布置在第一阻挡层上的有源图案。有源图案包括源区、漏区以及布置在源区和漏区之间的沟道区。薄膜晶体管进一步包括布置在有源图案上的栅电极。沟道区与有源图案的被栅电极重叠的部分对应。薄膜晶体管附加地包括连接到源区的源电极和连接到漏区的漏电极。有源图案包括第一部分和第二部分。第一部分与第一阻挡层部分重叠，并且第一部分和第二部分具有彼此不同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：布置在基板上的第一阻挡层；布置在所述第一阻挡层上的有源图案，其中所述有源图案包括源区、漏区以及布置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；布置在所述有源图案上的栅电极，其中所述沟道区与所述有源图案的被所述栅电极重叠的部分对应；以及连接到所述源区的源电极和连接到所述漏区的漏电极，其中所述有源图案包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分与所述第一阻挡层部分重叠，并且所述第一部分和所述第二部分具有彼此不同的厚度。
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